תוכן עניינים
29 יחסים: CCD, מעבד, מתח חשמלי, מטען חשמלי, מבנה פסים, מוליך למחצה, מוליך למחצה מאולח, מיקרואלקטרוניקה, אלומיניום, אזור מחסור, אינטל, אילוח (מוליכים למחצה), ננומטר, פס ערכיות, פס הערכיות, פס ההולכה, פרוסת סיליקון, פונקציית עבודה, צורן דו-חמצני, קבל, קיבול, רמת פרמי, שדה חשמלי, תחמוצת הפניום, טרנזיסטור MOSFET, זרם חשמלי, זיכרון הבזק, חור (חשמל), וולט.
- קבלים
CCD
CCD שפותח במיוחד לצילומי אולטרה סגול. CCD, ראשי תיבות של Charge Coupled Device, (בעברית: הַצַ"ם, ראשי תיבות של התקן צְמוּד-מִטְעָן) הוא חיישן אלקטרואופטי שמכיל מעגל משולב ובו מערך ("מטריצה") של רכיבים בעלי קיבול, שהמטען הנצבר בהם ניתן להזרמה ולקריאה.
לִרְאוֹת קבל MOS וCCD
מעבד
מעבד 80486 של אינטל בתוך המארז שלו – ממדי פיסת הסיליקון שבמרכז הם 6.75x12 מילימטר מעבד, או בשמו המלא יחידת עיבוד מרכזית (באנגלית: CPU - Central Processing Unit), הוא רכיב חומרה במחשב המבצע את הפקודות המאוחסנות בזיכרון המחשב.
לִרְאוֹת קבל MOS ומעבד
מתח חשמלי
בחשמל, מתח חשמלי הוא ההפרש בפוטנציאל החשמלי בין שתי נקודות במרחב.
לִרְאוֹת קבל MOS ומתח חשמלי
מטען חשמלי
180x180px 180x180px מִטְעָן חשמלי הוא תכונה פיזיקלית של חומר, הגורמת לאינטראקציה אלקטרומגנטית עם מטענים אחרים או עם מקורות יוצרי שדה.
לִרְאוֹת קבל MOS ומטען חשמלי
מבנה פסים
בפיזיקה של מצב מוצק, מבנה פסים של מוצק מתאר את תחומי האנרגיה המותרים עבור האלקטרונים בגביש.
לִרְאוֹת קבל MOS ומבנה פסים
מוליך למחצה
צורן (סיליקון) מוליך למחצה (בקיצור לעיתים: מל"מ; באנגלית: Semiconductor) הוא חומר אשר תכונות ההולכה החשמלית שלו נמצאות בתחום הרחב שבין תכונותיהם של חומרים מוליכים לבין אלה של חומרים מבודדים.
לִרְאוֹת קבל MOS ומוליך למחצה
מוליך למחצה מאולח
מוליכים למחצה מאולחים או מוליכים למחצה אקסטרינזים (באנגלית: Doped Semiconductors) הם מוליכים למחצה הנזרעים באטומים זרים בכוונה תחילה כאשר האטומים המאלחים מסוגלים לספק לחומר תוספת אלקטרונים או חורים.
לִרְאוֹת קבל MOS ומוליך למחצה מאולח
מיקרואלקטרוניקה
ממוזער מיקרואלקטרוניקה היא תחום באלקטרוניקה, העוסק בתכנון ובייצור מעגלים אלקטרוניים זעירים.
לִרְאוֹת קבל MOS ומיקרואלקטרוניקה
אלומיניום
אַלוּמִינְיוּם (Aluminium; בעברית: חַמְרָן) הוא יסוד כימי מתכתי שסמלו הכימי Al ומספרו האטומי 13.
לִרְאוֹת קבל MOS ואלומיניום
אזור מחסור
במוליך למחצה, אזור המחסור הוא אזור מבודד אשר נמצא בתווך מוליך של חומר מוליך למחצה מזוהם.
לִרְאוֹת קבל MOS ואזור מחסור
אינטל
סמליל אינטל משנת 1968 עד 2006 סמליל אינטל משנת 2006 עד 2020 סמליל אינטל משנת 2020 אינטל קורפוריישן (באנגלית: Intel Corporation) הוא תאגיד רב-לאומי אמריקאי, מהחברות המובילות בעולם בתחום של תכנון וייצור מיקרו-מעבדים ומעגלים משולבים.
לִרְאוֹת קבל MOS ואינטל
אילוח (מוליכים למחצה)
אילוח (נקרא גם זיהום, סימום או הסממה, באנגלית Doping) של מוליך למחצה הוא הוספה של חומר זר בריכוז מזערי למצע כלשהו, לשם הגברת המוליכות החשמלית שלו.
לִרְאוֹת קבל MOS ואילוח (מוליכים למחצה)
ננומטר
צילום מיקרוסקופ מנהור סורק המראה ננו-צינורית פחמן שרוחבה 1 ננומטר. אורכים שונים ביחס להספקטרום האלקטרומגנטי. הננומטר הוא טווח הגדלים של אטומים עד מולקולות ננומטר היא יחידת מידה של אורך ששווה למיליארדית המטר ומסומנת כ-nm, כלומר, מיליארד ננומטר (1,000,000,000 ננו) שווה למטר אחד.
לִרְאוֹת קבל MOS וננומטר
פס ערכיות
בפיזיקה של מצב מוצק, פס הערכיות הוא הטווח האנרגטי הגבוה ביותר המאוכלס באלקטרונים בטמפרטורת האפס המוחלט.
לִרְאוֹת קבל MOS ופס ערכיות
פס הערכיות
#הפניהפס ערכיות.
לִרְאוֹת קבל MOS ופס הערכיות
פס ההולכה
#הפניהפס הולכה.
לִרְאוֹת קבל MOS ופס ההולכה
פרוסת סיליקון
פרוסת סיליקון שיוצרה באינטל פרוסת סיליקון נקיה פרוסת סיליקון היא פרוסה של גביש יחיד של צורן בעל ניקיון גבוה.
לִרְאוֹת קבל MOS ופרוסת סיליקון
פונקציית עבודה
פונקציית העבודה בפיזיקה של מצב מוצק היא האנרגיה המינימלית (שבדרך כלל נמדדת באלקטרון וולט) הדרושה כדי להוציא אלקטרון ממוצק אל בדיוק מחוץ למשטח המוצק (או האנרגיה הדרושה כדי להוציא אלקטרון מאנרגיית פרמי אל הריק).
לִרְאוֹת קבל MOS ופונקציית עבודה
צורן דו-חמצני
דיונות חול מהפארק הלאומי הדיונות הגדולות בארצות הברית. צורן דו-חמצני היא המרכיב העיקרי בחול צורן דו-חמצני – תרכובת כימית הידועה גם כסיליקה או סיליקון דיאוקסיד, היא תחמוצת של צורן (סיליקון), בכתיב הכימי SiO2.
לִרְאוֹת קבל MOS וצורן דו-חמצני
קבל
קבלים שונים קבלים מסוגים שונים: למעלה משמאל שתי שורות של קבלים קרמיים, למטה משמאל קבלי טנטאלום, למטה מימין קבל אלקטרוליטי, למעלה מימין קבל קרמי. קַבָּל (באנגלית: Capacitor) הוא רכיב חשמלי בעל יכולת לאגור מטען חשמלי ולפרוק אותו.
לִרְאוֹת קבל MOS וקבל
קיבול
קיבול הוא תכונה פיזיקלית המתארת את היכולת של גוף (לרוב שניים) לאגור מטען חשמלי.
לִרְאוֹת קבל MOS וקיבול
רמת פרמי
#הפניה אנרגיית פרמי.
לִרְאוֹת קבל MOS ורמת פרמי
שדה חשמלי
שדה חשמלי היא תכונה פיזיקלית של המרחב המקיף מטען חשמלי (או של אזור בו יש שדה מגנטי המשתנה בזמן).
לִרְאוֹת קבל MOS ושדה חשמלי
תחמוצת הפניום
תחמוצת הפניום, המכונה גם הפניה, היא תרכובת כימית אי-אורגנית בעלת הנוסחה הכימית HfO2.
לִרְאוֹת קבל MOS ותחמוצת הפניום
טרנזיסטור MOSFET
מבנה טרנזיסטור MOSFET. בעת העברת מתח חשמלי במגע (Gate), הטרנזיסטור יאפשר זרימת אלקטרונים מהמקור (Source) לשפך (Drain) טרנזיסטור MOSFET (ראשי תיבות של Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), או טרנזיסטור תוצא שדה, הוא סוג של טרנזיסטור בו שדה חשמלי משפיע על התכונות של מוליך למחצה (לרוב סיליקון) ובכך מאפשר שליטה על הזרם החשמלי הזורם דרכו.
לִרְאוֹת קבל MOS וטרנזיסטור MOSFET
זרם חשמלי
250px זרם חשמלי הוא מדד לתנועה מכוונת של מטען חשמלי.
לִרְאוֹת קבל MOS וזרם חשמלי
זיכרון הבזק
USB זיכרון הֶבְזֵק (Flash memory) הוא סוג זיכרון בלתי נדיף המאפשר כתיבה, מחיקה, וכתיבה חוזרת.
לִרְאוֹת קבל MOS וזיכרון הבזק
חור (חשמל)
בפיזיקת מצב מוצק, חור הוא קוואזי-חלקיק נושא מטען חיובי.
לִרְאוֹת קבל MOS וחור (חשמל)
וולט
אלסנדרו וולטה, שעל שמו נקראת יחידת המתח וולט (מסומנת כ: V) היא יחידת מידה של מתח ופוטנציאל חשמליים במערכת היחידות הבינלאומית.
לִרְאוֹת קבל MOS ווולט